電(diàn)子(zǐ)工(gōng)↑£♠¶程師(shī)在設計(jì)PCB闆的(de)時(shí)候會(huì)選用(yòngΩγ®)不(bù)同的(de)單片機(jī),比如(rú)51單片機(jī)、32位單片機(jī),¥♠≤那(nà)麽這(zhè)種單片機(jī)之間(jiān)有(yǒu)什(shén)麽區($±♥qū)别呢(ne)?如(rú)下(xià):
51單片機(jī)
當然,應用(yòng)最廣泛的(de)8位單片機↑€(jī)也(yě)是(shì)初學者最容易學習(xí)§δ'的(de)單片機(jī),最早由Intel由★↔于其典型的(de)結構和(hé)完善的(de)總線專用(yòng)寄存器(qì)集中管理(>♦♦'lǐ),許多(duō)邏輯操作(zuò)和(hé)★♦λ•豐富的(de)指令系統可(kě)以被稱為(w¥≠₩èi)一(yī)代經典,為(wèi)其他(tā)單片機(jī γ≠')的(de)未來(lái)發展奠定了(le)基礎。
51單片機(jī)之所以成為(wèi)經典,主要(yào)具有(yǒu)以下(xià)特♠α♦點:
特性:
1. 從(cóng)內(nèi)部硬件(jiàn↔★)到(dào)軟件(jiàn)有(yǒu)一(yī)個(g×✘è)完整的(de)位置操作(zuò)系統,稱為(wèi)位置處理(lǐ)器 (qì),處理(lǐ)對(duì)象不(bù)是(shì)單詞或字節,而是(shì)位置。¶φ它不(bù)僅可(kě)以處理(lǐ)電(diàn)影(yǐng)中一(yī)些(xiē↕γ)特殊的(de)寄存器(qì),如(rú)傳輸、位置、清除等,還(☆£Ωγhái)可(kě)以進行(xíng)位置的(de§÷σ)邏輯操作(zuò),非常完整,易于使用(yòng)。
2. 同時(shí)在片內(nèi)RAM該區(qβσ✘ū)間(jiān)還(hái)特别開(kāi)放(fàng)了(l'✘e)雙能(néng)地(dì)址區(qū)間(jiān),使用(yòng)極其靈活,這(zhè)無≤ ε疑為(wèi)用(yòng)戶提供了(le)極大(dà)的(de)£©✘β便利,
3. 乘法和(hé)除法指令也(yě)給編程λ¥$"帶來(lái)了(le)便利。很(hěn)多(duō)八位單片機(jī)都♥δ(dōu)沒有(yǒu)乘能(néng),所以£™ 編一(yī)段程序調用(yòng)乘法很(hěn)不(bù)方便♣£©。
缺點(雖然是(shì)經典,但(dàn)缺點還(hái)是(shì)很(hěn)明(mín<₩®g)顯的(de)):
1. AD、EEPROM能(néng)源需要(yào)擴®>∏展,增加了(le)硬件(jiàn)和(hé)©♣♠軟件(jiàn)的(de)負擔
2. 雖然I/O腳使用(yòng)簡單,但(dàn)高(gāo)電(dià∏★☆n)平時(shí)沒有(yǒu)輸出能(néng)力™✔↑,這(zhè)也(yě)是(shì)51系列單片機(j&§ī)最大(dà)的(de)軟肋
3. 運行(xíng)速度太慢(màn),尤其是(shì)雙數(shù)據指 δ♣針。如(rú)果能(néng)夠改進,可(kě)以↕✔β給編程帶來(lái)極大(dà)的(de)便利
4. 51保護能(néng)力差,芯片容易燒壞
應用(yòng)範圍:目前在教學場(chǎng)合和(hé)性能(néng)要(yào) ≠求較低(dī)的(de)場(chǎng)合使用(yòng)最廣泛的(de)設備:8051和(♥≤βhé)80C51
MSP430單片機(jī)
MSP430系列單片機(jī)是(shì)德州儀器(qì)1996年( ±nián)開(kāi)始推向市(shì)場©✘(chǎng)的(de)16位超低(dī)σΩγ消耗混合信号處理(lǐ)器(qì)。最大(dà)的₹₽$(de)亮(liàng)點是(shì)消耗低(dī)≈♥,速度快(kuài)。彙編語言使用(yòng)靈活,搜索網站(zhàn)的(de)方式多←♦(duō),指令少(shǎo),使用(yòng)方便。主要(yào)是(shì)因為(ε∞wèi)它将許多(duō)模拟電(diàn)路$♣(lù)、數(shù)字電(diàn)路(lù)和(h♣≥ ÷é)微(wēi)處理(lǐ)器(qì)集成到(dào)芯片上(shàng),以提供單片≠σ& 解決方案。其快(kuài)速發展和(hé)應用(yòng)範圍的(de£♦)擴大(dà)主要(yào)取決于以下(xià)特點…
特性:
1. 處理(lǐ)能(néng)力強,采用(yòng)精簡指令集(RIδ≥וSC)結構豐富( 7 種源操作(zuò)數(shù)字搜索, 4 目的(de)操作(zuò÷♣)數(shù)字搜索),簡單的(de) 27 ¥π≥條核指令和(hé)大(dà)量的(de)模拟指令;大(dà)量的(de)寄存器(qì)φ₽✔'和(hé)數(shù)據存儲器(qì)可(kě)以參與器(qì)可(kě)以參與各種↕≈操作(zuò);以及高(gāo)效的(de)表檢查處理(lǐ)指令;在 8MHz 晶體(tǐ)驅動₽≠的(de)指令周期為(wèi) 125 ns 。這(zhè)些(xiε♥★≈ē)特性保證了(le)可(kě)編制(zhì)的(de)高(gāβ o)效源程序
2. 在運算(suàn)速度方面, 8MHz 125在晶體(tǐ)的(de)驅動&φ下(xià)實現(xiàn)ns 指令周期。16 位數(shù)據寬度, 125n≠ ↓γs 的(de)指令周期和(hé)多(duō)功能(néng)∑↕™硬件(jiàn)乘法器(qì)(可(kě)以乘加)可(kě)以實現(xiàn)數(s'<×hù)字信号處理(lǐ)的(de)某些(xiē)∑♦•算(suàn)法(如(rú) FFT 等)
3. 超低(dī)消耗,MSP430 單片機(jī)之所以消耗超低(d®∑ī),是(shì)因為(wèi)它在降低(dī)芯片↓•✘的(de)電(diàn)源電(diàn)壓和(hé)靈活可(kě)控的(de)運行(♥≤≤xíng)時(shí)鐘(zhōng)方面有(yǒu)其獨特之處。電(diàn)源電(diγ® àn)壓為(wèi) 1.8~3.6V 電(diàn)壓δλ™αMHz 的(de)時(shí)鐘(zhōng)條件(jiàn)下(xià)運行(xín←&g)時(shí),芯片的(de)電(diàn)流會(huì)在 200~400×>★uA 時(shí)鐘(zhōng)關閉模式的(de)最低(dī)消耗量約§★為(wèi)0.1uA
缺點:
1. 個(gè)人(rén)覺得(de)不(bù)容易 ®上(shàng)手,不(bù)适合初學者入門(mén),資料也(yě)$↓φ✘比較少(shǎo)去(qù)官網找。
2. 占很(hěn)大(dà)的(de)指令空(↓∞kōng)間(jiān),因為(wèi)它是(shì)16≤φ&個(gè)單片機(jī),程序是(shì)單詞,有(yǒu)些(xiē)指令實際上(shàngγε)占據了(le)6個(gè)字節。雖然程序表面上(shàng)很(hěn)簡≠☆單,但(dàn)與pic單片機(jī)占用(yòng♣¥)了(le)很(hěn)大(dà)的(de)空(kōng)間(jiān)
應用(yòng)範圍:在低(dī)消耗、超低(dī)消耗的(de)工(g∏< φōng)業(yè)場(chǎng)合使用(yòng)最多(ε™γduō)的(de)設備:MSP430F系列、MSP4₹£30G2系列、MSP430L09系列
TMS單片機(jī)
這(zhè)裡(lǐ)也(yě)提一(yī)下(xià)TMS系列單片機(jī☆←),雖不(bù)算(suàn)主流。由TI推出的(de)8位CMOS單片機(jī)具有(yǒu)±≠多(duō)種存儲模式和(hé)外(wài)圍接口模式,适用(y₹±òng)于複雜(zá)的(de)實時(shí)控制(zhì)場(chǎng)合。雖然沒有(yǒ✔×™u)STM32那(nà)麽優秀,也(yě)沒有(yǒu)MSP430那(nà)麽張揚,但±€♦↕(dàn)是(shì)TMS370C該系列單片機(jī)←>₩提供高(gāo)性價比的(de)實時(shí)系統控制(zhì),集成了(le)先進的(d∑♦e)外(wài)圍能(néng)模塊和(hé)各種芯片的(de)內(nèi)存配置。同時(£shí)采用(yòng)高(gāo)性能(néng×§≥)矽栅CMOS EPROM和(hé)EEPROM實現(xiàn)技(jì)術(shù♠•≈)。低(dī)工(gōng)作(zuò)耗CMOS¥ε技(jì)術(shù),寬工(gōng)作(zuò)溫≈$度範圍,噪聲抑制(zhì),再加上(shàn$±g)高(gāo)性能(néng)和(hé)豐富的(de)片上(shàng)外(w'∑€ài)設能(néng),使TMS370C該系列單片機(jī)在汽車(chē)電(diàn±→)子(zǐ)、工(gōng)業(yè)電(diàn)機(jī)控制(z≥¥hì)、計(jì)算(suàn)機(jī)、通(tōng)信和(hé)消費∞∏γ®(fèi)方面有(yǒu)一(yī)定的✔"©(de)應用(yòng)。
STM32單片機(jī)
由ST廠(chǎng)商推出的(de)STM32系列單片機(jī),& ™業(yè)內(nèi)朋(péng)友(yǒu)都(dōu)知(zhī)道(dào),這(zλγhè)是(shì)一(yī)款性價比很(hěn)高(gāo)的(d"™e)系列單片機(jī),應該沒有(yǒu)一(yī)款,而且極其強大(dà)。它是∏Ω(shì)專門(mén)為(wèi)高(gāo)性能(néng)、低(dī)成本、低(dīβ ☆)消耗的(de)嵌入式應用(yòng)而設計(jì)的(de)≠≠ ₩ARM Cortex-M內(nèi)核,外(wài)設&÷≠一(yī)流:1μs的(de)雙12位ADC,4兆位/秒(miǎo)的(de)UART,Ω←®₹18兆位/秒(miǎo)的(de)SPI等等,在消耗和(hé)∑φ±集成方面也(yě)有(yǒu)不(bù)錯(cuò)的(de→₹♣)表現(xiàn),當然和(hé)MSP430的(de)消耗略低(dī)于它,但(dàn ∏)這(zhè)并不(bù)影(yǐng)響工(∑• αgōng)程師(shī)的(de)受歡迎程度。由于其簡單的(de)結構和(héε≤ ×)易用(yòng)的(de)工(gōng)具,以及其強大(dà)的(de)工(gō$ε ng)具,它可(kě)以在業(yè)內(nèi)聞名…其強大(dà)的(de)能(néng)量主要×™¥→(yào)體(tǐ)現(xiàn)在:
特性:
1.內(nèi)核:ARM32位Cortex-M3CPU,最高✔π±±(gāo)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率72MHz,1.25✘¥♦₩DMIPS/MHz,單周期乘法和(hé)硬件(jiàn)除法
2.存儲器(qì):片上(shàng)集成32-512KB的γ↕←(de)Flash存儲器(qì)。6- *♦↑♣* KB的(de)SRAM存儲器(qì)
3.時(shí)鐘(zhōng)、複位和(hé)電(diàn)源管理(lǐ)Ωε÷:2.0-3.6V電(diàn)源供電(diàn)和(hé)I/O接口驅動電(diàn≠ )壓。POR、PDR可(kě)編程電(diàn)壓探測器(qì)(PVD)。4-16MHzε✘€'晶體(tǐ)振動。MHz RC振蕩電(diàn)路(lù)。內(nèi)部40 kφ €Hz的(de)RC振蕩電(diàn)路(lù)CPU時(shí→£β)鐘(zhōng)的(de)PLL。帶校(xiào)準用(yòng∑×♣ε)于RTC的(de)32kHz的(de) ↕∏晶振
4.調試模式:串行(xíng)調試(S∑λ★WD)和(hé)JTAG接口。最多(duō)112個(gè)快(k↑♣πuài)速接口I/O端口最多(duō)使用(yòng)1★€λβ1個(gè)定時(shí)器(qì),最多(duō)使用(yòng)13個(gè)通(tōng)信 接口:STM32F103系列、STM32 L1系列、STM32W系列。
上(shàng)海(hǎi)錫通(tōn>↑g)軟件(jiàn)專業(yè)從(có©δng)事(shì)PCB設計(jì),電(diàn)↓≈÷↑路(lù)闆單片機(jī)程序定制(zhì)開(kāi)發;産品≥÷©有(yǒu)共享櫃控制(zhì)闆,大(dà)δ↓÷∏功率燈闆、機(jī)床藍(lán)牙通(tōng)訊闆等,歡迎随時(sh♥∑í)來(lái)電(diàn)咨詢。